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마우저, AI·산업·에너지·로보틱스 애플리케이션용 온세미 가넥서스 GaN FET 공급

테크월드뉴스 · 2026년 9월 15일

✦ AI 요약

마우저일렉트로닉스가 온세미의 가넥서스(GaNEXUS) GaN FET 공급을 발표했다.

가넥서스 GaN FET는 고속 스위칭, 낮은 게이트 전하, 낮은 출력 전하를 특징으로 하며 AI, 데이터센터, 산업 자동화, 로보틱스, 에너지 인프라 등에 적합하다.

가넥서스 제품군은 40V~650V 인핸스먼트 모드 디스크리트 GaN HEMT로 구성되며, 650V 가넥서스 스마트 GaN FET는 보호 기능을 통합했다.

마우저일렉트로닉스가 온세미의 신제품 가넥서스(GaNEXUS) GaN FET 공급을 발표했다. 가넥서스 GaN FET는 GaN 와이드 밴드갭 특성을 활용하는 제품이다.

이 제품은 고속 스위칭, 낮은 게이트 전하, 낮은 출력 전하를 특징으로 하며 효율성 향상에 초점을 맞췄다. AI, 데이터센터, 산업 자동화, 로보틱스, 에너지 인프라 분야에 적합하며, 저전압·중전압·고전압·초고전압 전력 변환 영역에 적용된다.

가넥서스 GaN FET의 GaN 기반 성능 이점은 전력 변환에서 더 높은 동작 주파수와 전력 밀도 향상으로 이어지며, 자기 부품 크기 축소를 지원한다.

가넥서스 제품군은 인핸스먼트 모드(enhancement-mode) 디스크리트 GaN HEMT(high-electron-mobility transistor)로 구성되며, 전압 범위는 40V~650V다. 이 제품군에는 650V 가넥서스 스마트 GaN FET도 포함되며, 이 제품은 보호 기능을 통합해 신뢰성 향상과 시스템 통합 간소화를 지원한다.

가넥서스 솔루션은 최신 전력 시스템의 에너지 변환·관리 방식을 개선할 목적으로 설계됐으며, 설계 엔지니어를 지원하는 데 초점을 맞췄다. 이를 통해 설계 복잡성을 줄이고 개발과 인증을 가속화하며, 열 관리 요건과 냉각 요건을 완화하고 전체 전력 분배망 성능을 최적화하도록 구성됐다. 적용 분야는 AI 서버, 48V 중간 버스 컨버터(IBC), 배터리 백업 유닛(BBU), 모터 드라이브다.

저전압·중전압 시스템에서는 자기 부품 크기 축소와 더 높은 전력 밀도 구현에 초점이 맞춰졌다. 이와 함께 효율 향상, 열 성능 개선, 제어 안정성 향상, 스위칭 손실 감소를 지원한다.

고전압 애플리케이션에서는 AI 파워 셸프, 고전압 DC-DC 변환, PFC 전력단, LLC 전력단에 적용된다. 이 경우 고주파 AC-DC·공진 전력단의 자기 부품 크기를 최대 60% 축소하고, PFC·LLC·고전압(HV) DC-DC 아키텍처의 전력 밀도를 향상시키며, 열 관리 비용과 운영 비용을 절감하는 효과를 제시한다.

출처: 테크월드뉴스 · 이광재 기자
원문: https://www.epnc.co.kr/news/articleView.html?idxno=406916