삼성·SK하이닉스, 어플라이드 50억 달러 에픽서 AI 반도체 혁신 가속

삼성전자와 SK하이닉스는 어플라이드 머티어리얼즈 EPIC 센터를 기반으로 AI 시대 반도체 기술 혁신을 추진한다. 삼성전자는 메모리·첨단 로직·첨단 패키징 전반에서 기술 협력에 나설 계획이다. SK하이닉스는 HBM 포함 D램·낸드 전반의 차세대 기술 개발을 가속할 계획이다.

어플라이드 머티어리얼즈는 12일(현지시간) 미국 캘리포니아주 서니베일 캠퍼스에서 EPIC 센터를 공개했으며, 13일 공개 사실을 발표했다. EPIC 센터는 총 50억 달러가 투자될 예정인 협업형 반도체 공정 기술·제조 장비 R&D 전용 시설이다. 해당 분야 세계 최대 규모인 EPIC 센터는 주요 칩 제조사와 장비·시스템 기업, 대학 연구진이 함께 참여하는 협업 공간으로 조성된다.

창립 파트너로는 삼성전자·SK하이닉스·TSMC·인텔·마이크론 등 주요 칩 제조사가 참여한다. 여기에 글로벌 장비 업체·시스템 기업·대학 연구진도 합류한다. 이들은 어플라이드 머티어리얼즈 과학자·엔지니어와 함께 차세대 반도체 기술을 공동 개발한다.

게리 디커슨 어플라이드 머티어리얼즈 회장 겸 CEO는 AI 인프라 확장과 고성능 컴퓨팅 수요 증가로 반도체 제조 기술 개발 로드맵 전반에 전례 없는 복잡성이 발생하고 있다고 밝혔다. 그는 AI 주도권 경쟁 승리를 위해 업계의 차세대 반도체 기술 개발·상용화 협업 방식을 재검토·재설계할 필요가 있다고 말했다.

게리 디커슨은 그 해법으로 에픽에서 세계 주요 칩 제조사·시스템 설계 기업·장비 파트너·연구진이 어플라이드 팀과 밀접하게 협력할 예정이라고 밝혔다. 그는 이를 통해 재료 혁신부터 대량 양산까지의 기간을 그 어느 때보다 앞당기는 것을 목표로 한다고 말했다.

삼성전자는 메모리·첨단 로직·첨단 패키징을 포괄하는 기술 역량을 보유하고 있다. 삼성전자는 이 같은 역량을 바탕으로 에픽 센터에서 차세대 반도체 기술 개발·상용화를 가속할 계획이다.

이는 AI 반도체의 성능과 전력 효율을 높일 필요가 있기 때문이다. AI 반도체 경쟁력 향상을 위해서는 개별 칩 성능 개선뿐 아니라 메모리·연산 장치·칩 간 연결 기술의 동반 발전이 중요하다.

송재혁 삼성전자 DS부문 최고기술책임자(CTO)는 삼성전자가 메모리·첨단 로직·첨단 패키징 전반의 기술 역량을 바탕으로 AI 시대의 컴퓨팅 기술 발전을 추진하고 있다고 밝혔다. 그는 어플라이드 머티어리얼즈가 메모리·첨단 로직·첨단 패키징 3개 분야 모두에서 차별화된 공정 장비 기술력과 폭넓은 전문성을 보유하고 있다고 설명했다.

송재혁은 양사가 EPIC을 통해 AI 기술 발전 속도에 맞춰 혁신 기술의 개발·고도화·실제 적용의 전 과정을 가속해 나갈 것이라는 방향을 제시했다. 이는 삼성전자와 어플라이드가 기존 장비 기술 협력 관계를 EPIC 센터에서 확대하는 흐름과 맞닿아 있다.

어플라이드는 앞서 삼성전자가 에픽 센터의 창립 파트너로 합류한다고 발표한 바 있다. 당시 어플라이드는 공동 개발 과제로 첨단 노드 스케일링, 차세대 메모리 아키텍처, 초고도 3D 집적용 재료공학 혁신을 제시했다.

차세대 반도체의 미세화가 진전되면서 소자 자체뿐 아니라 재료 특성·계면·배선·공정 통합의 중요성이 커지고 있다. 이에 따라 재료 연구와 장비 개발, 공정 최적화를 함께 다룰 수 있는 연구·개발 체계의 필요성도 확대되고 있다.

이런 흐름 속에서 에픽 센터는 재료 연구·장비 개발·공정 최적화를 병렬로 진행하기 위한 목적으로 설계됐다. 에픽 센터는 삼성전자의 차세대 메모리·로직·패키징 기술 개발 과정에서 협업 효율성을 높이는 기반이 될 것으로 전망된다.

SK하이닉스는 EPIC 센터를 활용해 AI 시대의 메모리 기술 혁신을 가속한다는 방침이다. AI 모델 규모가 확대되고 데이터 처리량이 증가하면서 프로세서에 데이터를 신속하게 공급하기 위한 메모리의 대역폭·속도·용량의 중요성이 커지고 있다. HBM을 포함한 차세대 메모리의 성능 향상을 위해 재료·공정·패키징 기술의 중요성도 확대되고 있다.

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 AI 컴퓨팅의 핵심 과제가 고성능 프로세서에 데이터를 충분히 빠르게 전달하는 것이라고 밝혔다. 이를 위해 훨씬 높은 대역폭·속도·용량의 메모리가 필요하다고 설명했다. SK하이닉스는 HBM·D램·낸드를 대상으로 차세대 기술 개발을 추진하고 있다.

SK하이닉스와 어플라이드는 차세대 메모리 기술 개발을 위한 장기 협력 관계를 바탕으로 공동 연구를 추진하고 있다. 양사는 협력 기반 공동 연구를 재료 혁신, 공정 통합, 첨단 패키징으로 확대하고 있다. 주요 과제로는 차세대 D램·HBM 성능 향상, 차세대 D램·HBM 제조 가능성 제고, 새로운 재료 개발, 복잡한 집적 구조 개발, HBM급 첨단 패키징 기술 개발이 제시됐다.

양사는 에픽 센터 공동 혁신 모델을 활용할 계획이다. 이를 통해 SK하이닉스 엔지니어와 어플라이드 기술진이 긴밀히 협력하고, 기술 개발 주기를 단축할 계획이다. 또 어플라이드 싱가포르 첨단 패키징 R&D 역량을 연계해 소자 수준 혁신과 이종 집적 기술을 연결할 계획이다.

에픽에서 나온 발언 요지에 따르면 이번 협력은 SK하이닉스의 첨단 메모리 리더십과 어플라이드의 재료공학·반도체 제조 기술 리더십을 결합하는 데 의미가 있다. 양사는 HBM·D램·낸드 전반의 주요 기술 전환점에 대응하고, AI 시대의 메모리 혁신을 가속한다는 방침이다.

이번 협력의 초점은 메모리 소자 성능 향상에 맞춰졌다. 다만 협력은 개별 메모리의 성능 개선에 그치지 않고, 3D 집적·열 관리·패키징 등 AI 메모리 제조 전반의 기술 과제를 공동으로 해결하는 범위로 추진된다. 이를 통해 연구 단계에서 확보한 기술을 실제 제조 환경과 유사한 조건에서 검증하고, 차세대 메모리의 양산 전환을 가속하는 것이 목표다.

이를 위해 에픽 센터는 차세대 반도체 기술의 개발·상용화를 단일 환경에서 진행하도록 설계됐다. 기존 방식에서는 기초 재료 연구와 장비/공정 개발, 공정 통합, 파일럿 생산이 분리된 환경에서 수행됐고, 이에 따라 단계별 기술 이전과 검증 절차가 필요했다. 에픽 센터는 이런 분리 구조를 줄이는 방향으로 구축됐다.

에픽 센터의 특징은 재료 연구자와 장비 개발자, 칩 제조사 엔지니어가 동일 시설에서 협력한다는 점이다. 이에 따라 개발 단계 간 경계가 축소되는 효과를 기대할 수 있다. 또 새로운 재료와 공정 기술은 실제 제조 환경과 유사한 조건에서 검증하는 방식으로 진행된다.

고객사는 초기 개발 단계부터 참여한다. 고객사는 이 과정에서 양산에 필요한 조건을 공동으로 최적화하는 역할을 맡는다. 같은 시설 내 협업과 초기 고객사 참여를 통해 실제 제조에 가까운 검증과 양산 조건 최적화를 앞당기려는 흐름이다.

이 시설은 칩 제조사와 어플라이드가 차세대 기술 개발을 더 이른 단계에서 맞물리게 하도록 설계됐다. 칩 제조사는 차세대 재료·장비 기술을 조기 확보할 수 있고, 기술 검증에 소요되는 시간도 단축할 수 있다. 어플라이드는 고객사의 차세대 기술 로드맵을 사전에 파악할 수 있고, 고객사 요구사항도 사전에 파악할 수 있다. 이를 바탕으로 어플라이드는 연구개발 투자 방향을 구체화할 수 있다.

에픽 센터의 규모는 약 60만 제곱피트(약 5만5700㎡)다. 이 시설은 약 4에이커(약 1만6200㎡)에 달하는 첨단 클린룸을 갖췄다. 시설 규모도 대형 반도체 R&D 거점에 걸맞은 수준이다.

완공에는 600만 시간 이상의 공사 시간이 투입됐다. 건물 기초에 사용된 콘크리트는 올림픽 규격 수영장 34개를 충전할 수 있는 수준이다. 철골 구조물에는 에펠탑 2개를 건설할 수 있는 수준의 철강이 사용됐다. 클린룸 상부 지붕 트러스는 총 34개이며, 각 지붕 트러스의 길이는 약 91m다. 각 지붕 트러스의 무게는 스쿨버스 12대 수준이다.

프라부 라자 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹(SPG) 사장은 재료 혁신이 더 이상 순차적 개발 방식만으로는 부족한 단계에 이르렀다고 밝혔다. 그는 원자 수준의 미세 크기에서 재료와 계면의 양상이 새롭게 나타난다고 설명했다. 이어 산업 규모 구현을 위해서는 긴밀히 조율된 개발과 통합 솔루션이 필요하다고 말했다.

에픽은 재료·공정 기술·장비를 동시에 혁신할 수 있는 유일한 곳이라는 입장을 밝혔다. 또 새로운 재료·기술의 성공률을 높일 수 있다고 설명했다. 고객사 엔지니어들은 기술이 팹에 도입되기 이전부터 최적화에 참여하며, 에픽을 거친 기술은 팹에 도착한 뒤 고성능·고수율 양산에 도달하는 속도가 향상된다고 전했다.

이 같은 에픽 운영 모델은 협력 양측 모두에 가치를 제공할 것으로 기대된다고 밝혔다. 칩 제조사 측에는 차세대 재료·장비를 조기에 활용할 수 있고 학습 주기를 단축할 수 있는 기대효과가 제시됐다. 어플라이드 측에는 여러 세대 앞선 기술 과제를 파악하고 고객 가치를 높이는 한편, 초기 설계 단계부터 자사 시스템·서비스의 채택 가능성을 확대하는 효과가 있으며, 이를 바탕으로 R&D 투자 방향을 설정할 계획이라고 설명됐다.

에픽 센터의 창립 파트너로는 삼성전자, SK하이닉스, TSMC, 인텔, 마이크론이 참여한다. 혁신 파트너로는 브로드컴, 아드반테스트, 스크린, 키옥시아, 베시가 이름을 올렸다.

연구 파트너로는 애리조나주립대학교(ASU), 렌셀러 폴리테크닉대학교(RPI), 스탠퍼드대학교, UC버클리, UCLA 새뮤얼리 공과대학이 참여한다. 이 같은 파트너 구성은 글로벌 반도체 생태계의 참여 범위를 보여준다.

EPIC에서는 각 파트너사가 자사 기술 로드맵 기반 과제·엔지니어를 EPIC에 투입하는 구조가 운영된다. 투입 인력·과제는 보안 확보 환경에서 어플라이드 팀과 협력한다. 향후 생태계에는 추가 기업·기관의 합류가 예상된다.

공개 행사에는 에픽 센터 파트너사 주요 인사 다수가 참석했다. 참석 인사들은 시설을 둘러봤다. 행사 시작은 프라부 라자 사장이 주관한 서밋으로 이뤄졌다. 서밋 참석자는 주요 반도체 설계·제조·장비 기업의 R&D 리더들이었다. 이들은 글로벌 칩 산업 성장·발전을 위해 해결할 핵심 과제를 논의했다.

이 자리에서 웨이저자 TSMC 회장 겸 CEO는 TSMC와 어플라이드 머티어리얼즈가 30년간 동반 성장해 왔다고 밝혔다. 또 양사가 주요 전환기마다 반도체 기술 한계를 확장해 왔다고 설명했다. 그는 30년 전 최첨단 양산 노드가 350나노였고 현재는 2나노미터에 도달했으며, 업계의 긴밀한 협력을 통해 피처 크기를 175분의 1로 축소했다고 밝혔다.

앞선 발언자는 칩 제조 복잡성이 기하급수적으로 증가하는 상황에서 양사 파트너십의 중요성이 확대됐다고 설명했다. 그는 2나노 이후 차세대 기술에서도 어플라이드와 협력하고 있다고 밝히며, 미래 반도체 기술 판도를 바꿀 목표로 혁신 장비 기술을 조기에 확보할 수 있는 가능성을 언급했다.

그는 차세대 에너지 효율적 AI 아키텍처의 범주로 새로운 아키텍처, 저저항 배선, 첨단 패키징을 제시했다. 또 해당 협력이 차세대 에너지 효율적 AI 아키텍처의 연구개발에서 대량 양산으로의 전환을 가속하는 효과가 있다고 설명했다.

아울러 그는 에픽의 창립 파트너 지위도 언급했다. 그러면서 데이터센터부터 엣지까지 AI를 구동하는 혁신을 가속하겠다는 의지를 밝혔다.

이어 립부 탄 인텔 CEO는 AI가 반도체 산업 내에서 수조 달러 규모의 기회를 창출하고 있다고 밝혔다. 그는 이 기회를 실현하려면 트랜지스터, 인터커넥트, 첨단 패키징의 지속적 혁신이 필요하다고 강조했으며, 인텔은 2030년에는 하나의 패키지에 1조 개 이상 트랜지스터를 집적할 수 있을 것으로 보고 있다고 밝혔다.

반도체 아키텍처 복잡성이 심화하고 R&D 비용이 지속적으로 증가하면서 신속한 대응 필요성과 장비 파트너와의 협력 강화 필요성이 제기되고 있다. 이런 흐름에서 EPIC은 인텔 팀에 재료·공정 혁신 분야에서 어플라이드와의 공동 작업 기회를 제공하는 기능을 하며, 기술 개발 가속과 R&D 효율 제고, 신기술의 시장 출시 시점 단축 효과가 있는 것으로 제시됐다.

산제이 메로트라 마이크론 테크놀로지 회장 겸 CEO는 데이터 집약적 AI 워크로드 확산으로 고성능 메모리·스토리지 수요가 대폭 증가하고 있으며, 재료·공정 기술 혁신이 차세대 메모리 구현의 핵심 요소라고 밝혔다. EPIC 창립 파트너인 마이크론은 어플라이드 머티어리얼즈와 긴밀하게 협력해 혁신을 가속하고, 차세대 메모리 기술의 연구 단계→대규모 양산 전환을 추진할 계획이라고 밝혔다.

에픽 센터 협력 범위는 전공정·메모리 넘어 첨단 패키징·반도체 테스트를 포함한다.

이는 AI 시스템 성능·전력 효율 향상 조건으로 개별 칩 성능뿐 아니라 칩 간 데이터 전송·이종 칩 집적 기술의 동반 발전이 필요하기 때문이다.

이런 흐름에서 찰리 카와스 브로드컴 반도체 솔루션 그룹 사장은 AI 다음 단계의 성패가 방대한 컴퓨팅 성능·메모리·연결성의 매끄러운 통합을 통한 고성능 시스템 구현에 좌우된다고 밝혔다. 그는 이를 위한 필수 요소로 첨단 패키징의 획기적 발전을 꼽으면서 브로드컴이 EPIC의 혁신 파트너라고 설명했다.

또 찰리 카와스 사장은 브로드컴이 어플라이드의 핵심 기술·제조 역량과 더 이른 단계부터 협력해 미래 시스템 요구사항과 필요한 패키징 혁신을 연결할 수 있다고 밝혔다. 아울러 이를 통해 기술 구상 단계부터 상용화까지의 과정을 가속할 수 있다고 덧붙였다.

더그 르피버 아드반테스트 대표이사 겸 그룹 CEO는 향후 반도체 성능 향상을 좌우할 요소로 첨단 3D 아키텍처와 이종 집적을 들었다. 그는 이와 관련한 기술 융합이 심화하고 있으며, 전공정 개발 인사이트와 후공정 테스트·계측 인사이트를 연결하는 중요성이 확대되고 있다고 설명했다.

이어 더그 르피버는 에픽이 어플라이드 머티어리얼즈의 재료공학·공정 제어 리더십과 아드반테스트의 반도체 테스트·계측 기술력을 결합한다고 밝혔다. 그는 에픽을 포함한 역량이 아드반테스트 이노베이션 센터를 통해 확보된 역량이며, 에픽이 기존 경계 해소에 나선다고 전했다.

또 더그 르피버는 양사가 세계 주요 반도체 제조사들을 지원한다고 밝혔다. 그는 이를 통해 세계 주요 반도체 제조사들이 수율 향상과 양산 램프업 가속, 차세대 AI 시스템의 시장 출시 가속을 이룰 수 있다고 설명했다.

고토 마사토 스크린홀딩스 사장 겸 CEO는 EPIC이 차세대 칩 아키텍처를 지원하는 핵심 습식·건식 공정의 공동 최적화 기회라고 밝혔다. 그는 양사가 이를 바탕으로 복잡성이 증대하는 3D 디바이스와 첨단 패키징 구조를 구현하기 위한 혁신을 가속할 수 있다고 말했다.

앞선 발언자는 재료공학과 공정의 통합 강화 필요성을 제기했다. 그는 통합 강화를 통해 칩 제조사의 수율 향상과 양산 램프업 가속, AI 시대에 필요한 제조 규모 확보 지원을 기대할 수 있다고 설명했다.

이어 미야지마 히데시 키옥시아 상무집행임원 겸 CTO는 AI 확산에 따라 데이터 중심화가 심화되고 있다고 밝혔다. 그는 미래 기술 혁신의 조건으로 통합 시스템 내에서 메모리·로직·인터커넥트 기술이 유기적으로 작동해야 한다고 보고, 에픽 센터가 기술 영역 간 협업을 촉진하는 플랫폼이 될 것으로 기대한다고 밝혔다.

미야지마 히데시는 또한 어플라이드 머티어리얼즈 엔지니어와 다른 파트너들과 긴밀히 협력하겠다는 뜻을 밝혔다. 이를 통해 차세대 메모리 기술 개발을 가속할 수 있을 것으로 기대한다고 설명했다.

리처드 블릭먼 베시 사장 겸 CEO는 이런 흐름 속에서 하이브리드 본딩의 중요성을 강조했다. 그는 AI 미래의 핵심 요소로 더 강력한 칩과 함께 성능·대역폭·전력 효율을 좌우하는 칩 간 인터커넥트를 꼽았으며, 베시와 어플라이드가 하이브리드 본딩이 차세대 AI 시스템의 기반이 될 것임을 조기에 인식했다고 밝혔다.

베시와 어플라이드 머티어리얼즈는 베시의 정밀 다이투웨이퍼 본딩 기술력과 어플라이드의 전공정 리더십을 결합해 차세대 고성능 3D 집적 디바이스용 하이브리드 본딩 기술을 고도화하겠다는 입장을 밝혔다. 양사는 에픽의 고속 공동 혁신 모델을 반도체 생태계 전반으로 확장하는 방안을 추진하고, 미래 AI 시스템을 주도할 기술 개발 가속을 목표로 제시했다.

이와 함께 에픽 센터에는 미국 주요 대학 연구진이 참여한다. 이들 연구진은 연구실에서 개발한 기술을 실제 반도체 제조 환경에 가까운 조건에서 검증하며, 이를 통해 학계의 기초 연구와 산업계의 제조 기술을 연결하고 차세대 반도체 연구 인력 양성도 함께 추진할 계획이다.

마이클 크로우 애리조나주립대학교 총장은 ASU가 ASU 리서치 파크의 Materials-to-Fab Center를 통해 어플라이드 머티어리얼즈와 긴밀한 협력 관계를 구축해 왔다고 밝혔다. 그는 EPIC 센터에서 연구자와 엔지니어, 제조사가 집결하게 된다고 설명했다.

마이클 크로우 총장은 또 연구실의 아이디어를 실제 반도체 제조 현장의 성과로 신속하게 연결하는 데 EPIC 센터가 역할을 할 것이라는 뜻을 밝혔다. 그는 EPIC 센터를 통한 파트너십 강화를 기대하며 이를 환영한다는 입장도 전했다.

에픽은 반도체 인재 양성의 초석 역할을 하는 것으로 제시됐다. 학생들은 어플라이드의 과학자·엔지니어와 협업하며, AI 혁신 미래를 주도하는 데 필요한 시스템 차원의 시각을 확보하게 된다고 전해졌다.

리치 라이언스 UC버클리 총장은 UC버클리가 초창기부터 마이크로일렉트로닉스 발전에 기여해 왔고, 반도체 산업을 주도하는 연구를 수행하며 반도체 분야 인재를 배출해 왔다고 밝혔다. 그는 어플라이드 머티어리얼즈와의 협력이 향후 기회 규모에 대응하기 위한 학계·산업계 협력 사례라고 설명했다.

리치 라이언스 총장은 에픽 플랫폼의 연구진이 세계 주요 칩 제조사가 사용하는 것과 동일한 최첨단 기술 역량을 활용할 수 있으며, 그 활용 조건도 실제 제조 환경에 준하는 수준이라고 밝혔다. 그는 이를 통해 연구진이 아이디어를 더 빠르게 검증·고도화할 수 있고, 그 결과가 AI 기술 지평을 확대할 반도체 혁신으로 발전할 수 있다고 설명했다.

마틴 슈미트 RPI 총장은 오늘날 AI 혁명을 주도하는 기술 다수의 출발점이 대학 연구실이었고, 이는 세상이 변화하기 이전 수년~수십 년 전부터 시작됐다고 밝혔다. 그는 컴퓨팅 수요가 증가하고 있다며, 새로운 반도체 재료·디바이스·집적 기술의 발견에서 적용으로의 전환을 가속할 필요가 있다고 말했다.

그는 RPI가 에픽 센터의 초대 연구 파트너로 참여한다고 밝히며, 이를 통해 RPI 학생·연구진이 세계적 수준 전문가와의 교류 기회를 확보하고 학술 연구 성과를 실제 생산 환경에서 시험·검증할 기회도 확보하게 된다고 설명했다. 이어 이러한 협력 방식이 AI 시대 산학 협력의 신속 추진 모델이 될 수 있다고 덧붙였다.

H.S. 필립 웡 스탠퍼드대학교 공과대학 석좌교수는 AI의 폭발적 성장에 따라 반도체 기술 연구자들이 반도체 칩의 에너지 효율 향상을 위한 새 방법을 모색하고 있다고 밝혔다. 그는 이와 함께 새로운 재료 발굴과 새로운 디바이스 개발의 기회가 풍부하다고 말했다.

실험과 혁신을 진전시키기 위해서는 더 빠른 혁신 사이클이 필요하고, 생태계 전반의 긴밀한 협력도 필요하다는 설명이다. 에픽 센터는 학생·연구진의 산업 현장 활용 장비 접근 기회를 확대하고, 학생·연구진의 전문가 직접 접촉 기회도 확대하는 기능을 맡는다.

이를 통해 학생·연구진은 연구 성과 창출을 가속하고, 반도체 제조 분야 발전에 필요한 산업 현장 경험을 축적하게 된다. 에픽 센터는 학생·연구진이 산업 현장 자원과 전문가를 연결받는 역할을 통해 이러한 효과를 뒷받침한다.

앨리사 박 UCLA 새뮤얼리 공과대학 석좌 학장은 새로운 AI 시대의 반도체 혁신 가속을 위해서는 대학·산업계 파트너 간 혁신적 협력이 필요하다고 밝혔다. 그는 UCLA가 오랜 기간 반도체 연구·혁신을 선도해 왔다고 설명했으며, 에픽 센터에서 어플라이드와 추진하는 협력이 UCLA의 전통을 잇고 더 발전시키는 계기라고 밝혔다.

발언자는 대학 연구 역량·산업계 전문성을 결합하겠다는 방향을 추가로 언급했으며, 이를 통해 미래 컴퓨팅을 주도할 핵심 칩 기술 발전을 추진하고 차세대 엔지니어 양성도 추진하겠다고 밝혔다.

출처: 테크월드뉴스 · 박규찬 기자
원문: https://www.epnc.co.kr/news/articleView.html?idxno=408082

참고자료

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