DB하이텍, 8인치 SiC 파운드리 승부수…1200V MOSFET 신뢰성 확보

실리콘카바이드 소재인 SiC는 기존 실리콘(Si) 대비 고온·고전압 환경에서 특성이 우수해 고효율·고전압 전력변환 수요를 배경으로 활용 분야가 전기차·신재생에너지·산업용 전력기기 등으로 확대되고 있다.

현재 SiC 시장의 주류는 6인치 웨이퍼지만, 업계는 생산성 향상과 제조원가 절감을 목적으로 8인치 웨이퍼 전환을 추진하고 있다.

DB하이텍은 이런 시장 변화에 대응하는 차원에서 8인치 SiC 공정 기술 개발과 SiC 파운드리 서비스 구축을 추진해 왔으며, 고전력 MOSFET에 최적화한 SiC 공정 기술을 고도화해 전기적 특성과 신뢰성을 확보했다.

DB하이텍은 8인치 웨이퍼 기반 1200V SiC MOSFET 공정의 신뢰성 검증을 완료했으며, 8인치 웨이퍼 기반 1200V SiC 파운드리 일괄공정을 구축했다. 아울러 설계·제조·특성 평가·신뢰성 검증을 지원할 수 있는 파운드리 서비스 체계를 마련해 8인치 SiC 파운드리 사업 확대를 가속하고 있다.

DB하이텍은 공정 신뢰성 검증을 완료하며 8인치 SiC 파운드리 사업의 핵심 기술을 확보했고, 양산 기반도 확보했다고 설명했다.

DB하이텍은 고객의 SiC 제품 개발을 지원하기 위해 자체 개발한 1세대 1200V SiC MOSFET PDK와 2세대 1200V SiC MOSFET PDK를 제공하고 있으며, 오는 11월 3세대 PDK를 추가 출시할 예정이라고 설명했다. PDK는 반도체 설계자의 파운드리 공정 맞춤 제품 설계를 지원하는 도구로, 공정 특성 정보와 설계 관련 정보를 제공한다.

DB하이텍은 PDK를 통해 고객의 초기 개발 부담을 줄이고, 프로토타입 제작 시점을 앞당기며, 제품 개발 기간을 1년 이상 단축할 수 있을 것으로 기대했다.

현재 제공 중인 2세대 공정은 게이트 전압(Vgs(on)) 18V 조건에서 비저항(Rsp) 2.5mΩ·cm² 이하, 문턱전압(Vth) 3V 이상의 전기적 특성을 구현했다. 이 2세대 공정은 기술적 진입장벽이 높은 신뢰성 검증도 완료했다.

DB하이텍은 11월 공개를 앞둔 3세대 공정에서 동일 게이트 전압 18V 조건 비저항 2.3mΩ·cm² 이하와 SCSOA에서 SCWT 2.5μs 이상 특성 확보를 목표로 제시했다. 회사는 해당 목표에 대한 검증을 진행한 뒤 고객사에 PDK를 제공할 예정이다.

DB하이텍 관계자는 이번 1200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증 완료가 세계 최초 8인치 SiC 파운드리 서비스용 핵심 공정 기술·양산 기반 확보를 의미한다고 밝혔다. 이어 2027년 8인치 SiC 양산 준비를 지속하고 시장 선점을 추진하며 차세대 전력반도체 파운드리 시장 경쟁력을 지속 확대해 나갈 계획이라고 설명했다.

DB하이텍은 올해 3분기에 다년간 협업한 파운드리 고객을 대상으로 우선 출시할 계획이며, 같은 시점까지 공정 준비를 완료할 계획이다. 이후 적용 범위를 넓혀 2027년 2분기부터는 모든 고객을 대상으로 서비스를 제공할 예정이다.

출처: 테크월드뉴스 · 박규찬 기자
원문: https://www.epnc.co.kr/news/articleView.html?idxno=406714

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