인텔 파운드리, ASML 고 NA EUV 양산 가속…웨이퍼 100만장 돌파

인텔 파운드리와 ASML이 고 NA(High Numerical Aperture) EUV의 양산 적용 확대를 위해 협력을 강화하고 있다. 고 NA EUV는 차세대 극자외선(EUV) 노광 기술이다. 인텔은 8일 양사 계획으로 레티클 스티칭 기술과 대형 마스크 생태계 구축을 통해 고 NA EUV 산업 도입을 촉진하겠다는 내용을 밝혔다.

양사는 기존 6인치 마스크를 활용하면서 레티클 스티칭 기술로 하이 NA EUV의 장점을 구현하는 방안을 추진하고 있다. 동시에 대형 마스크 생태계 구축도 추진하고 있다. 목표는 고 NA EUV의 산업 도입 가속이다.

인텔 파운드리와 ASML은 미국 캘리포니아주 몬터레이에서 열린 'SPIE 포토마스크 테크놀로지 + 극자외선 리소그래피' 컨퍼런스에서 고 NA EUV 양산 적용 현황을 공개했다. 이와 함께 향후 기술 확대를 위한 주요 진전 사항도 공개했다.

인텔 파운드리는 현재까지 고 NA EUV로 100만 장 이상의 웨이퍼를 처리했다. 고 NA EUV의 적용 범위는 초기 장비 인증·테스트·연구개발(R&D) 단계에 걸쳐 있다. 여기에 더해 코드명 '팬서 레이크(Panther Lake)' 인텔 코어 Ultra 시리즈 3 프로세서의 일부 레이어 양산에도 적용됐다.

인텔은 고 NA EUV 장비의 오버레이 정밀도·스루풋·가동률이 당초 기대치를 충족했다고 설명했다. 이는 고 NA EUV가 연구개발용을 넘어 실제 양산 공정에 활용 가능한 단계에 진입했음을 의미한다.

인텔은 18A 공정 일부 레이어에 고 NA EUV를 적용했다고 밝혔다. 또 해당 방식으로 제조한 제품이 ASML NXE 플랫폼(NA 0.33 EUV)으로 동일 레이어를 패터닝한 제품과 비교했을 때 성능이 대등하거나 이를 상회했다고 설명했다. 인텔은 성능 우위 또는 동등 수준이 지속해서 확인되고 있다고 발표했다.

고 NA EUV는 기존 EUV 대비 높은 수치개구율(NA)을 활용하는 기술로, 더 미세한 패턴 구현이 가능한 차세대 노광 기술이다. ASML의 고 NA EUV 장비는 EXE 플랫폼으로, 기존 EUV 장비보다 높은 해상도를 제공한다. EXE 플랫폼은 첨단 로직·메모리 공정 미세화에 대응하는 핵심 장비로 평가된다.

고 NA EUV의 본격적 산업 확대를 위해서는 노광 장비 외에도 마스크·펠리클·소재·자동화·EDA 등 주변 생태계의 변화가 필요하다. 고 NA EUV는 기존 EUV와 다른 마스크 활용 방식을 요구하며, 이에 따라 관련 업계의 주요 과제로 대형 마스크 포맷 전환이 제기돼 왔다.

이와 관련해 인텔 파운드리는 기존 6인치 마스크를 활용할 수 있게 하는 레티클 스티칭 기술을 개발 대상으로 삼고 있다. 고객은 기존 6인치 마스크를 기준으로 층별 배치 계획을 세우거나, 인텔 파운드리의 스티칭 기능과 공정설계키트(PDK) 솔루션을 활용하는 선택지를 가질 수 있다.

레티클 스티칭은 하나의 대형 패턴을 여러 마스크 영역으로 분할 노광한 뒤 정밀하게 연결하는 방식이다. 이를 통해 기존 마스크 인프라를 활용할 수 있다는 의미를 가진다.

이 같은 선택지의 효과는 기존 마스크 규격을 유지한 상태로 고 NA EUV의 이점을 활용할 수 있게 하는 데 있다. 이에 따라 고 NA EUV 도입 시 마스크 생태계 전환 부담을 완화하는 효과가 기대된다.

인텔 파운드리는 향후 6인치 마스크 기반 고 NA EUV를 지원하는 한편 6×12인치 대형 마스크 포맷 전환도 추진하고 있다.

인텔은 이를 위해 지난 3년 이상 대형 마스크 포맷 중심의 마스크 생태계 통합을 주도해 왔으며, ASML·마스크 제조업체·자동화 공급업체·EDA 파트너·소재 업체와 협력해 왔다. 협력 범위는 하이 NA EUV 확대에 필요한 표준·인프라·기술 개발이다.

ASML은 인텔 파운드리와의 협력을 기반으로 고 NA EUV 생태계 확대를 가속하겠다는 방침이다.

크리스토프 푸케 ASML CEO는 인텔 파운드리가 2024년 최초 상용 EXE 시스템 도입을 주도했고 최신 세대 장비 도입 검증을 수행했으며 고 NA 제조 첫 양산형 로직 제품 출하를 달성했다고 밝혔다. 그러면서 인텔 파운드리를 산업 전반의 고 NA 도입을 이끈 핵심 리더 중 하나로 평가했다.

ASML은 고 NA 분야에서 인텔 파운드리가 선구적 역할을 하고 있다고 평가했다. ASML은 또 6인치 마스크 기반의 현재 가치 창출 혁신을 긍정적으로 평가하고, 6×12인치 마스크로의 진화를 장기 지원한다는 입장을 밝혔다.

나가 찬드라세카란 인텔 수석 부사장·인텔 파운드리 공동 총괄 매니저는 복잡성이 확대되는 AI 제품을 개발하는 기업들에게는 즉시 양산에 적용 가능하고 사용이 용이한 제조 혁신이 필요하다고 밝혔다. 인텔 파운드리는 리소그래피 역량 측면에서 6인치 마스크 상 고 NA의 단기 지원에 집중하고 있다고 설명했다.

인텔 파운드리는 이러한 집중이 스티칭 기술 적용 여부와 무관하다고 밝혔다. 또 6×12인치 마스크로의 전환에도 집중하고 있으며, 나가 찬드라세카란은 이러한 전환을 실현하기 위해 ASML 및 업계 전체와 지속적으로 밀접하게 협력해 나갈 방침이라고 밝혔다.

인텔 파운드리와 ASML은 수년간 협력해 왔다. 양사는 대규모 마스크 중심의 리소그래피 생태계를 결집하고 있으며, 향후 고 NA 극자외선 확장에 필요한 표준과 인프라, 기술의 발전을 함께 추진하고 있다.

양사는 마스크 제조사·자동화 공급업체·EDA 파트너·소재 공급업체·반도체 제조업체와 협력해 업계의 대형 마스크 포맷 전환 로드맵을 구축하고 있으며, 이와 병행해 고객의 고 NA 극자외선 혜택 즉시 활용을 지원하고 있다.

출처: 테크월드뉴스 · 박규찬 기자
원문: https://www.epnc.co.kr/news/articleView.html?idxno=406689

참고자료

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