[속보] 삼성전자, 2028년 고 NA EUV D램 도입…ASML과 차세대 반도체 제조 협력 확대
테크월드뉴스 ·
✦ AI 요약
삼성전자는 8일 ASML이 주도하는 'Large Size Mask Consortium'에 참여한다고 발표했다.
삼성전자와 ASML은 6인치 포토마스크의 12인치 전환을 위한 공동 연구와 12인치 전환 관련 표준 개발에 협력할 예정이다.
삼성전자는 2028년 첨단 D램 제조에 고 NA EUV 노광 장비를 도입할 방침이며, 이번 협력은 고 NA EUV와 차세대 12인치 포토마스크 확대와 맞물린다.
삼성전자는 8일 ASML이 주도하는 'Large Size Mask Consortium'에 참여한다고 발표했다. ASML은 네덜란드 반도체 장비 기업이다. 삼성전자는 이번 참여를 통해 차세대 12인치 포토마스크 개발 글로벌 컨소시엄에 합류했으며, 삼성전자·ASML은 차세대 노광 기술·포토마스크 협력을 확대하게 됐다.
양사는 6인치 포토마스크의 12인치 전환을 위한 공동 연구 협력을 진행할 예정이다. 또한 양사는 12인치 전환과 관련한 표준 개발에도 협력할 예정이다.
이 같은 협력은 삼성전자의 고 NA EUV 노광 장비 도입 추진 방침과도 맞물린다. 삼성전자는 2028년 첨단 D램 제조에 고 NA EUV 노광 장비를 도입할 방침이며, 고 NA EUV 노광 장비의 첨단 D램 도입을 업계 최초로 하는 것을 목표로 하고 있다.
포토마스크는 반도체 회로 패턴이 정밀하게 각인된 틀이며, 노광 공정에서 빛으로 웨이퍼에 회로 패턴을 전사하는 핵심 소재다. 반도체 미세화가 진전될수록 포토마스크의 정밀도와 노광 기술이 반도체 성능·수율·생산성에 미치는 영향은 더욱 확대되고 있다.
현재 반도체 노광 공정의 주력 포토마스크 규격은 6인치다. 다만 고 NA EUV 기술이 본격 도입되면서 12인치 대형 포토마스크의 필요성이 확대되고 있다.
기존 6인치 마스크를 사용할 경우 전체 패턴을 1회 노광으로 처리하기 어려운 영역이 존재하며, 이 경우에는 패턴을 분할 노광한 뒤 연결하는 스티칭(Stitching) 과정이 필요하다. 삼성전자는 12인치 포토마스크로 전환할 경우 이러한 스티칭 제약이 완화되고, 첨단 반도체 생산 효율 향상과 제조 비용 절감이 가능하다고 설명했다.
첨단 반도체는 수백억 개 트랜지스터를 매우 좁은 면적에 정밀 배치하는 특성이 있어 노광 공정의 패턴 정밀도와 생산성이 중요하다. 이에 따라 12인치 포토마스크를 적용하면 고 NA EUV 장비 성능을 더 효과적으로 활용할 수 있을 것으로 기대된다.
삼성전자는 메모리·파운드리에서 축적한 EUV 공정 경험을 보유하고 있다. 이를 바탕으로 삼성전자는 대형 포토마스크 생태계 구축에 적극 참여할 방침이다.
삼성전자와 ASML의 협력은 포토마스크에만 국한되지 않는다. 삼성전자는 2028년까지 첨단 D램 제조에 고 NA EUV 장비 도입을 추진하고, 해당 도입을 위한 협력을 강화할 계획이다.
고 NA EUV는 기존 EUV 대비 더 높은 수치 개구수를 적용하는 차세대 노광 기술이다. 기존 EUV의 NA는 0.33이고 고 NA EUV의 NA는 0.55다. 고 NA EUV는 더 미세한 회로 패턴 구현이 가능하고 더 정밀한 패터닝도 가능하다.
AI 데이터센터 확산으로 고성능·고용량 메모리 수요는 증가하고 있다. 이와 함께 D램 미세화 경쟁도 심화 추세다.
이 같은 상황에서 삼성전자는 고 NA EUV의 첨단 D램 적용으로 D램 미세화 로드맵을 연장할 계획이다. 동시에 삼성전자는 공정 단순화를 추진할 계획이고 생산성 향상도 함께 추진할 계획이다.
고 NA EUV를 메모리 제조에 선제 적용할 경우 더 미세한 회로 구현이 가능할 것으로 전망된다. 또한 공정 효율 개선이 가능할 것으로 전망되며 차세대 D램 경쟁력 확보도 가능할 것으로 전망된다.
삼성전자는 파운드리 공정에서 EUV 기술을 적극 활용해 왔으며, 첨단 메모리 제조까지 차세대 고 NA EUV의 적용 범위를 확대하고 있다. 이는 노광 기술을 기반으로 반도체 제조 경쟁력을 강화하려는 삼성전자의 전략에 따른 것이다.
이 같은 움직임은 AI 연산 수요가 급증하는 흐름과 맞물린다. 이에 따라 고성능 GPU와 AI 가속기의 중요성이 확대되고 있으며, HBM과 첨단 D램, 고도화된 파운드리 공정의 중요성도 함께 커지고 있다.
이런 시장 변화에 대응해 삼성전자와 ASML은 협력을 확대하고 있다. 이번 협력 확대의 의미는 AI 반도체 시장 성장에 대응하기 위한 차세대 제조 기술 확보에 있다.
반도체 업계에서는 미세화 한계를 극복하고 생산성과 경제성을 확보할 수 있는 차세대 노광 기술이 핵심 경쟁력이라는 인식이 확산돼 있다. 삼성전자는 ASML과의 장기간 협력 관계를 보유하고 있다.
삼성전자는 ASML과의 협력을 기반으로 차세대 노광·제조 기술 확보를 가속할 계획이다. 이를 통해 삼성전자는 파운드리에서 메모리에 이르는 영역에서 EUV와 고 NA EUV의 활용을 넓혀가고 있다.
삼성전자와 ASML의 경영진은 AI 시대의 도래로 반도체 산업의 패러다임이 변화하고 있으며, 밸류체인 전반에서 기술 혁신의 중요성이 커지고 있다고 설명했다. 전영현 삼성전자 대표이사 부회장은 삼성전자가 혁신 기술과 강한 파트너십을 기반으로 파운드리·메모리를 포함한 첨단 반도체 제조 리더십을 지속할 방침이라고 밝혔다. 그는 ASML과의 협력을 강화하고 'Next AI'를 위한 기술 기반 마련을 추진하겠다는 뜻도 내놨다.
이 같은 인식 아래 삼성전자와 ASML은 기존 협력 관계를 바탕으로 첨단 메모리·차세대 제조 방식 등 다양한 분야에서 협력 기회를 확대할 예정이다. 크리스토프 푸케 ASML CEO는 삼성전자가 오랜 기간 ASML의 핵심 혁신 파트너 중 하나였다고 밝혔고, 양사가 현대 반도체 제조의 기반 기술을 공동으로 발전시켜 왔다고 설명했다. 그는 AI가 주도하는 새 시대를 맞아 삼성전자와 함께 차세대 반도체 제조 혁신을 주도하기를 기대한다고 말했다. 이번 협력의 축은 12인치 포토마스크·고 NA EUV다.
이번 협력은 반도체 미세화 경쟁의 확장 사례로 평가됐다. 경쟁 구도도 '더 작은 선폭' 중심에서 노광 장비·소재·공정 전반의 생태계 경쟁으로 확대되고 있음을 보여주는 사례로 제시됐다.
출처: 테크월드뉴스 · 박규찬 기자
원문: https://www.epnc.co.kr/news/articleView.html?idxno=406683
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