SK하이닉스, HBM 생산체계 美로 확대…‘인디애나 팹’서 HBM4E 양산

SK하이닉스는 차세대 HBM 경쟁에서 고객사 AI 연산칩·개발 일정 맞춤형 설계·검증 중요성이 확대되자 생산·R&D를 주요 고객 소재지인 미국으로 확장하고 HBM 생산체계를 미국으로 확대하기로 했다. 이에 따라 HBM 생산 거점을 한국·미국 이원화하고, 한국 생산 첨단 웨이퍼를 미국에서 패키징·테스트한 뒤 현지 고객에 공급하는 체계를 구축하는 한편 미국 내 R&D 테스트베드 구축도 병행한다.

SK하이닉스는 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 '인디애나 팹' 기공식을 개최했다. '인디애나 팹'은 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지로, 투자액은 40억 달러(약 5조5000억 원) 이상이다. 회사는 2028년 10월 클린룸 완공을 계획하고 있으며 2029년 하반기 차세대 HBM 양산 시작을 목표로 하고 있다. '인디애나 팹'의 양산 대상은 HBM4E다.

곽노정 SK하이닉스 사장은 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 구축하는 인디애나 팹의 생산품이 개발 중인 7세대 HBM 'HBM4E'라고 밝혔다. SK하이닉스는 이 인디애나 팹에서 2029년 3분기 HBM4E 양산을 시작할 계획이다.

인디애나 팹에는 HBM 어드밴스드 패키징 생산라인과 연구개발(R&D) 시설이 구축된다. 이 공장이 가동되면 SK하이닉스의 HBM 완성 경로는 한국·미국으로 이어지게 된다.

HBM용 첨단 웨이퍼는 한국에서 생산하고, 이를 미국으로 이송한 뒤 어드밴스드 패키징·테스트 공정을 거쳐 완제품으로 현지 고객에게 공급하는 방식이다. SK하이닉스는 이를 미국 생산 첫 '메이드 인 USA' HBM으로 제시했다.

이 같은 분업체계는 HBM 기술 변화와 맞물린다. HBM은 여러 D램을 수직 적층해 데이터 처리 대역폭을 높이는 반도체다.

HBM 제조에는 실리콘관통전극(TSV)과 정밀한 본딩이 요구되며, 생산 과정에서는 첨단 패키징 역량이 중요하다. 여기에 GPU·주문형반도체(ASIC) 등 연산칩과의 사양 조율 중요성도 커지고 있다.

HBM4 이후 메모리의 베이스다이 기능 고도화가 진행되면서 고객별 연산 시스템 맞춤 최적화의 중요성이 커지고 있다. 이에 따라 고객사 차세대 AI 칩 개발 단계부터 메모리 사양 조율 협업이 확대되고 있으며, 시제품 검증 협업 확대도 함께 이뤄지는 흐름이다.

SK하이닉스의 인디애나 팹 내 생산라인·어드밴스드 패키징 R&D 테스트베드 동시 구축은 이런 고객 맞춤 협업 흐름과 맞물린다. 이 구축은 고객사·대학·협력사 대상 차세대 패키징 기술 공동 개발을 지원하고, 시제품 제작·성능 검증의 현지 진행도 뒷받침하는 체계로 연결된다.

이와 함께 SK하이닉스와 퍼듀대학교는 HBM 포함 차세대 시스템 통합·어드밴스드 패키징 기술 공동 연구를 위한 업무협약(MOU)을 체결했다. 인디애나 팹과 패키징 R&D 테스트베드 구축, 퍼듀대학교와의 MOU는 개발 초기의 설계 조율과 검증 협업을 현지 연구·제작·검증 체계로 잇는 사례다.

생산거점 구축은 소재·부품·장비 공급망 확장으로도 이어진다. SK하이닉스는 100여 개 협력사와 웨스트라피엣 진출을 논의하고 있다고 설명했으며, 인디애나 팹 건설·운영 과정에서 미국 기업들과 약 7000개의 직·간접 일자리를 창출할 계획이다.

미국 정부는 CHIPS Act로 인디애나 프로젝트를 지원했다. 미 상무부는 SK하이닉스에 직접 보조금 최대 4억5800만 달러(약 6300억 원)와 대출 지원 최대 5억 달러(약 6860억 원)를 확정했다. 미 상무부는 인디애나 투자가 미국 내 차세대 HBM·첨단 패키징 공급망을 강화하는 역할을 한다고 평가했다.

인디애나 팹 착공 시점에는 미국의 반도체 현지 생산 압박이 재강화되고 있다. 트럼프 행정부는 반도체·일부 완제품 대상 고율 관세 부과 방안을 검토 중이며, 미국 내 투자·생산 규모와 무관세 물량을 연계하는 방안도 검토 중으로 전해졌다.

SK하이닉스의 인디애나 투자는 2024년부터 추진됐다. 이 때문에 최근 관세 논의는 인디애나 투자 결정의 직접 배경으로 연결하기 어렵다. 다만 미국의 반도체 현지 생산 압박 속에서 현지 HBM 후공정 거점 확보의 전략적 가치는 확대되고 있다.

미국 향후 통상정책은 변수로 꼽힌다. 인디애나 팹에서는 패키징·테스트가 진행되지만 핵심 웨이퍼는 한국 생산이어서, 미국 반도체 관세·지원정책의 현지 생산 범위 설정에 따라 한미 분업체계 영향이 달라질 가능성이 있다.

이와 동시에 HBM 확대는 메모리 업체 경쟁 방식 변화를 이끌고 있다. 범용 D램의 경쟁 요소가 표준화 제품의 생산성·원가 경쟁력이라면, HBM의 경쟁 요소는 고객사 AI 칩 개발 단계부터의 사양 맞춤 비중 확대에 있다.

이에 따라 중요 역량도 달라지고 있다. 고객 제품 로드맵 파악과 필요 제품의 적기 개발·공급이 핵심으로 부각되며, 제품 개발 단계부터 고객 협업이 이뤄지는 흐름이 강화되고 있다.

고객별 최적화 확대는 메모리 업체의 수요 조기 파악 여지도 넓히고 있다. 이에 따라 차세대 제품의 수요·공급 시기는 이전보다 선제적 조율이 가능해지고 있다.

인디애나 팹은 고객 밀착형 HBM 경쟁이 생산거점 배치 변화 사례라는 점을 보여준다. 인디애나 팹은 HBM 경쟁 방식이 고객과의 근접성 중심으로 바뀌면서 생산거점의 위치 선정에도 영향을 주는 흐름을 나타낸다.

SK하이닉스는 2029년 HBM4E 양산 시작 시점에 맞춰 미국에서 차세대 제품 패키징·검증·공급을 연결한 현지 체계를 본격 가동할 예정이며, 이를 인디애나 팹을 축으로 운영하려는 계획을 내놨다. 곽 사장은 미국이 최고의 고객·연구 역량·생태계가 함께하는 AI 혁신 중심지라고 밝혔고, 인디애나 팹을 최초의 '메이드 인 USA' HBM 공급 거점으로 만들 방침이라고 설명했다.

출처: 아이티데일리 (IT DAILY) · 김병주 기자
원문: https://www.itdaily.kr/news/articleView.html?idxno=241282

참고자료

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